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                                聚酰亞胺PI無氧烘箱,氮氣亞胺化烘箱

                                聚酰亞胺PI無氧烘箱,氮氣亞胺化烘箱

                                簡要描述:

                                聚酰亞胺PI無氧烘箱,氮氣亞胺化烘箱應用于精密電子元件、PI、CPI/PBO/LCP/BCB膠高溫固化烘烤、銀膠固化、光刻膠固化、電子陶瓷材料無塵烘干的特殊工藝要求。

                                聚酰亞胺PI無氧烘箱,氮氣亞胺化烘箱應用工藝


                                  聚酰亞胺膠的固化溫度大約為250-350,固化5小時左右。堅膜時間太長,光刻膠會流動,破壞圖形,堅膜時間太短,溶劑沒有蒸發完,膠與硅片的粘附性差,腐蝕時會出現脫膠,導致圓片報廢。

                                  聚酰亞胺(PI)是一種高溫環鏈高分子聚合物,它熱穩定性好,熱膨脹系數小,臺階覆蓋性、抗輻射性好,并且具有耐各種有機滾劑的優良化學特性,絕緣性好,有負電效應,由學、微電子學性能優良,因此常用作表面鐘化。PI具有感光性,使用方法就像光刻涂膠一樣,用涂膠機均勻地將聚酰亞胺液涂敷于待鐘化的硅片上,再在高溫下使之轉變為聚酷亞胺,這一加溫處理過程稱為亞胺化。亞胺化過程很有講究,如果亞胺化溫度低,則會有較多的聚醉胺酸未轉變為亞胺結構,降低了絕緣性能:,如果溫度升的太快,溶劑揮發過急,就容易產生氣泡,使薄膜粘附不牢。正性聚酰亞胺膠是紅色粘稠液態物質,經過曝光顯影后變成金黃色或黃色。它一般采用手動顯影,在常溫下的正膠顯影液浸泡50-60S,并且用N,鼓泡,然后用純水沖洗干凈甩干。聚酰亞胺光刻膠用等離子刻蝕去膠機去膠,在去膠機內通入0,刻蝕氣體。

                                  聚酰亞胺光刻返工:如果聚亞胺曝光顯影后未堅膜,發現異常需要返工的話可以將圓片鈍化層全部曝光后再顯影去除聚酰亞胺:如果聚酰亞胺堅膜固化后,顯影不能除去,需要放入等離子刻蝕去膠機中用0和CF,將固化的聚酰亞胺干法刻蝕去除。

                                聚酰亞胺PI無氧烘箱,氮氣亞胺化烘箱指標

                                工作室尺寸:  W500mm×D500mm×H550mm  ,可定制

                                材質:  內箱采用耐高溫SUS304不銹鋼,外箱采用優質冷軋板噴塑

                                溫度范圍:  RT+50-400℃ 

                                氧含量:  ≤20ppm  

                                溫度分辨率:  0.1℃

                                溫度波動度:  ≤±1℃

                                溫度均勻度:  ≤±1.5%℃

                                操作方式: 人機界面,自動運行,一鍵工藝

                                潔凈度:  Class100 

                                升溫速度: 1-8℃/min,階梯升溫模式

                                降溫時間:  350℃降溫至80℃平均約4.0℃/min  

                                操作方式:  人機界面+PLC,可程式/定制運行

                                工藝選擇:5組工藝配方保存,每組15個工藝步驟

                                 樣品架: 多層不銹鋼沖孔樣品架,高度可調節,活動網板

                                氮氣亞胺化烘箱其他用途:


                                  應用于精密電子元件、PI、CPI/PBO/LCP/BCB膠高溫固化烘烤、銀膠固化、光刻膠固化、電子陶瓷材料無塵烘干的特殊工藝要求,適用于觸摸屏、晶圓、LED、PCB板、ITO玻璃等精密電子、太陽能、新材料等行業.


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